14th September 2022

非接触SiCプラズマ前処理技術:

オックスフォード・インストゥルメンツ社がClas-SiC社と共同でパワーデバイスの検証を実施

先般、Oxford InstrumentsはSiC基板非接触プラズマ研磨ソリューション発売を発表いたしました。当該技術の目的は、従来のChemical Mechanical Polishing (以下、CMP)に代わる、クリーンでドライ、低コスト、歩留まり向上、かつ持続可能な新しい選択肢を提供することです。このプロジェクトはClas-SiC Wafer Fab Ltd. (clas-sic.com) と共同で1200V MOSFETデバイスのホールウェハ認定を実施しました。その結果、新ソリューションとSiCパワー半導体デバイスへの影響における信頼性はより高まり、大きな前進を遂げることができました。

Clas-SiC Wafer Fab Ltd. のテクノロジー・カスタマーリレーションズ・マネージャーのDavid Clark氏は次のように述べています。「プロジェクトを経て、1200V MOSFETのパラメトリックと歩留まりが従来のCMPウェハと酷似している結論に至りました。我々は基板の供給量制限で複数のサプライチェーンに依存する環境下にあり、材料の入荷変動はデバイス製造業界全体の課題です。調達した基板を当社で処理し、2種のデバイス製造工程に組み込み、これほど早く同等の成果を得ることができました。また、これは当社のプロセスウィンドウの持続可能性と喫緊の課題に沿っていることへの確固たる自信に繋がりました。

Clas-SiC MPD Device Yield

初期の結果として非常に有効であると捉え、本新技術が高価なSiC基板コストを削減できる将来性を確信しています。実質的にSiCベースの電力変換コスト削減にも繋がり、市場での採用を拡大する上で非常に重要です。」

現在、SiC基板需要が供給を上回り、それに伴い基板上で製造されるワイドバンドギャップ半導体も供給不足となっています。成長著しい電気自動車や持続可能エネルギー市場では、化合物半導体の導入量が増加しています。この産出量ギャップの急激な増加に新たなソリューションが必要とされています。当社のプラズマ研磨ドライエッチング技術は、従来のCMPに代わるプラグ・アンド・プレイ方式でOPEX の削減に繋がり、ウェハ1枚当たりのコスト低減だけではなく、150mm、および200mmのインゴッド当たりのウェハ切断量を向上させる重要な技術です。当該技術、そしてその他の革新的なSiC技術は生産パラダイムを転換させ、SiCサプライチェーンがこの急成長市場を安定で持続可能なものへと変わる可能性を持っています。

Oxford Instruments plc. Plasma Technology は2022年9月11日から16日にダボス(スイス)で開催される国際会議ICSCRM/ECSCRMで、PPDFプロセスを公式に発表いたします。会議のテクニカル折衝では、商業向けファウンドリパートナーが製造してウェハから、特許取得のPPDFプロセスを活用した最新のエピタキシャルウェハ、デバイスの事例を発表いたします。また、工場へのPPDE導入も会場でご相談も承っております。

直接のご面談をご希望の方は、Brian.Dlugosch@oxinst.com (VP, strategic production markets, Oxford Instruments Plasma Technology) までご連絡ください。

本プレスリリースは、イギリス時間9月7日に発表した『Contactless SiC Plasma Epi-prep: Oxford Instruments Validates Power Devices with Technology Acceleration Partner Clas-SiC』の抄訳です。