ザリーナ・ハッサンビー氏 — Oxford Instruments Plasma Technology社のエッチング開発チームに所属するアプリケーションエンジニア、カタジナ・ストークリー氏による研究発表を行います。

Zareena Hassanbee - will present the research conducted by Katarzyna Stokeley, the Oxford Instruments Plasma Technology Development Etch Manager.

ザリーナ・ハッサンビー氏は、Oxford Instruments Plasma Technologyのエッチング開発チームに所属するアプリケーションエンジニアです。Reva大学でVLSIおよび組み込みシステムの修士号を取得しています。彼女の専門分野は、先進的なプラズマ技術を用いたSiCの表面品質の研究と向上にあります。 彼女の業務には、Oxford Instrumentsが特許を取得した非破壊的なSiC表面平滑化技術であるプラズマ・ポリッシュ・ドライエッチング（PPDE）などのプロセスに向けた、チャンバー洗浄レシピおよびプロセスフローの開発が含まれます。さらに、CMP処理済みSiCの表面下損傷の除去や、電子後方散乱回折（EBSD）を用いたこれらの影響の特性評価に焦点を当てたプロジェクトにも携わっています。

Ms Zareena Hassanbee is an Application Engineer with the Etch Development Team at Oxford Instruments Plasma Technology. She holds a master’s degree in VLSI and Embedded Systems from Reva University. Her expertise lies in the study and enhancement of Silicon Carbide (SiC) surface quality using advanced plasma technology. Her work includes developing chamber clean recipes and process flow for processes such as Plasma Polish Dry Etch (PPDE), a patented non-destructive SiC surface smoothing technique by Oxford Instruments. Additionally, she is involved in projects focused on the removal of sub-surface damage on CMP SiC and the characterisation of these effects using Electron Backscatter Diffraction (EBSD).

タイトル： プラズマ処理による低次元SiCトレンチのコーナー成形

日時： 2026年9月30日（水 ） 午後4:00～6:00
会場：ポスターB （4階、G401+G402）

Title: Corners shaping of low dimensional SiC trenches by plasma processing

Data: Wednesday, September 30, 2026, 4:00 - 6:00 pm JST
Location: Poster-B (4th Floor, G401+G402)

SiC MOSFETは、高効率なパワーエレクトロニクスを実現していますが、デバイスの性能はトレンチの形状精度に大きく依存します。本研究では、Oxford Instruments社のPlasmaPro 100 Cobra 300システムを用いたプラズマ処理により、深さ1 µmのSiCトレンチの形状を制御し、マイクロトレンチを排除して滑らかな側壁を形成する方法を示します。

フッ素系パッシベーションおよびパッシベーション除去プロセスを最適化することで、研究者らは、尖った形状からほぼ丸みを帯びた形状に至るまで、トレンチのコーナープロファイルを精密に制御することに成功しました。これらのU字型のトレンチ構造は、電界の集中を低減し、ゲート酸化膜の信頼性を向上させ、デバイス全体の性能を高めることで、より高度なSiCパワー半導体技術の開発を支援するものです。

Silicon carbide (SiC) MOSFETs are enabling higher-efficiency power electronics, but device performance depends heavily on precise trench geometry. This work demonstrates how plasma processing in the Oxford Instruments PlasmaPro 100 Cobra 300 system can be used to control the shape of 1 µm deep SiC trenches, eliminating micro-trenches and producing smooth sidewalls.

By optimising fluorine-based passivation and passivation removal processes, researchers achieved precise control over trench corner profiles, ranging from pointed to nearly rounded shapes. These U-shaped trench structures help reduce electric field concentration, improve gate oxide reliability, and enhance overall device performance, supporting the development of more advanced SiC power semiconductor technologies.