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InP Laser Diode Manufacturing
幅広い材料システムでのデバイス製造のためのプラズマアシストエッチングおよび蒸着ソリューション
電気自動車(EV)などの新技術では、高効率な電力変換が求められるため高性能であることが必要です。SiCやGaNなどの材料を使用することでエネルギー損失を低減できます。原子層堆積法(ALD))や、プラズマエッチング・デポジション手法により、プロセスが最適化され高効率なデバイス生成が可能になります。当社のALDは、優れたパッシベーションにより、GaN/AlGaNデバイスのしきい値電圧のゆらぎを低減します。
GaNとSiCの両方に対する当社のエッチングプロセスは、最小限のダメージで高品質なサイドウォールを生成し、最高のパフォーマンスを保証します。
レーザーには、高速通信からLiDARによる自動運転車の実現まで、様々なアプリケーションがあります。オックスフォード・インストゥルメンツは、長くレーザーダイオードに必要なIII-V族材料のプロセスを開発してきました。 どのような材料であっても究極の加工制御は不可欠であり、当社ではAlGaNからInPまでに対応するプロセスを提供します。