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PlasmaPro 800は、プラズマ励起化学気相堆積（PECVD）プロセスの柔軟なソリューションを、大きなウェハバッチと300mmウェハにおいて、コンパクトな専有面積かつオープンロードシステムで実現します。大きなウェハテーブルにより、製造レベルのバッチ処理および300mmウェハの取り扱いを可能にします。
PlasmaPro 800 PECVD
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PlasmaPro 80...
PlasmaPro 80 RIE
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PlasmaPro 800 RIE は、リアクティブイオンエッチング（RIE）プロセスの柔軟なソリューションを、大きなウェハバッチや300mmウェハにおいて、コンパクトな専有面積かつオープンロードシステムで実現します。大型ウェハテーブルにより、製造レベルのバッチ処理および300mmウェハの取り扱いが可能になります。
PlasmaPro 800 RIE
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PlasmaPro...
PlasmaPro 80 PECVD
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PlasmaPro 80 ICP...
PlasmaPro 80 ICP RIE
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PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE...
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE エッチングシステム
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UCL への導入事例
当社の PlasmaPro® 80 RIE 装置を使用している UCL の2人の上級研究員と話す機会に恵まれ、量子および光電子デバイスに関連する最新の研究プロジェクトをご紹介いた...
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PECVD
当社のプラズマCVDシステムでは、屈折率、応力、電気特性などの膜特性や、ウェットエッチング速度などを制御することにより優れた膜均一性や高い成膜速度が実現するよう特別な設計がされてい...
Plasma Technology
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誘導結合プラズマ RIE (ICP RIE)
ICPエッチングは、高エッチレート、高選択性、低ダメージの処理を実現するために広く使用されている薄膜加工技術です。Cobra® ICP エッチングソースは、低圧で動作する機能を備え...
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リアクティブイオンエッチング (RIE)
反応性イオンエッチング（RIE）は、一般的なプラズマエッチングのための簡単な操作と経済的なソリューションです。オックスフォード・インストゥルメンツは、半導体や故障解析などのアプリケ...
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アップグレード
We offer a range of system upgrades that both extend the life of your system and add new f...
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SiNx
Silicon Nitride can be deposited using the following techniques: Plasma Enhanced Chemical ...
Plasma Technology
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